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三星推出功能強大且節能的DDR5內存芯片

三星電子 擁有512GB的開發空間 DDR5 宣佈內存模塊。 這是第一個 DRAM單元 該產品的製造符合去年5月JEDEC固態技術協會制定的最新DDRXNUMX標準。 和 高K金屬門技術(HKMG) 製成的硬件提供的數據傳輸速率高達 7200 Mbit / s,速度是DDR4的兩倍以上。

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該公司使用了八層16 GbpsDRAM芯片構造這個模塊。 根據韓國科技巨頭的說法, HKMG技術 與以前的存儲芯片相比,絕緣層中的傳統氧化矽代替了傳統的氧化矽,有助於減少洩漏電流。 此外,新內存比以前的芯片消耗的電量少約13%,據該公司稱,這使其對數據中心特別有吸引力。

三星開始了 HKMG技術 適用於其存儲產品。 從去年開始,極端紫外線輻射的過程也被用於 DRAM製造 用過的。 在破紀錄的存儲芯片發布之際,美國英特爾代表宣布,他們正在與三星緊密合作,以期 DDR5輻條r提供針對性能和即將推出的英特爾進行了優化的產品 至強可擴展處理器兼容,代號為Sapphire Rapids。